氮化硅的生產方法分析:
電子級的氮化硅薄膜是通過化學氣相沉積或者等離子體增強化學氣相沉積技術制造的:
3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g)
3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g)
3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g)
如果要在半導體基材上沉積氮化硅,有兩種方法可供使用:
利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。
等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。
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時間:2021/7/5 9:02:51